MKP1848S薄膜電容器—用於DC-link應用的薄膜鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器，具有2µF～100µF的業內最寬CV範圍，電壓等級500VDC～1,000VDC，以及12mm、15mm、18mm和24mm的小尺寸。

 

VCUT05D1-SD0 BiSy單線ESD保護二極體—採用新型超小尺寸的CLP0603矽封裝，二極體具有10pF的低電容，可在可擕式電子產品中保護信號和資料線免受瞬態電壓信號的損害。

 

34 THE非接觸式多匝感測器—34 THE是業界首款採用非接觸式技術的多匝感測器，採用伺服安裝時具有5千萬次迴圈的超長壽命，採用套管安裝時具有1千萬次迴圈的壽命，可測量3600°以內的任何電角度。

 

45V Trench MOS勢壘肖特基TMBS單片整流器—具有10A～40A的寬電流範圍，以及在20A電流下低至0.51V的正向壓降。適合在太陽能電池接線盒中用作旁路二極體。

 

MPM配對電阻網路—具有嚴格的比例容差和緊密的TCR跟蹤，分壓比為1:1～100:1，可用於程序控制、測試和測量、儀錶、信號調理和資料獲取應用。

 

CNY6系列 CAT IV光耦—業內首款採用表面貼裝封裝和適用于太陽能和風機裝置的器件。光耦可保護人員和設備避免受到傷害，或是避免被12000V的高電壓尖峰或瞬態電壓，以及反復出現的1450V的峰值電壓所擊傷，同時還能讓資料從高壓側傳送到低壓的監控設備。

 

IHLP 3232系列小尺寸、高電流電感器—高性能、節省空間和能源的解決方案，用於移動設備、筆記本電腦、桌面電腦、伺服器、圖形卡、可擕式遊戲機、個人導航系統和其他產品中的電壓穩壓模組(VRM)和DC/DC轉換器應用，

 

SiHG73N60E E系列600 V高壓MOSFET—在10V柵極驅動下具有39mΩ的導通電阻和最大362nC的超低柵極電荷，可在開關電壓、PFC、照明和工業應用中實現出眾的性能。

 

TM8 MicroTan 鉭電容器—用於嚴格需要高可靠性醫療和軍工航太應用，小外形尺寸的TM8具有非常低的直流洩漏電流和可定制的篩選選項，包括威布林失效率分級。

 

SiSA04DN 30V MOSFET—TrenchFET Gen IV器件採用熱增強型PowerPAK 1212-8封裝，具有低至2.5mΩ的導通電阻和22.5nC的柵極電荷，使DC/DC轉換的優值係數(FOM)達到56。

 

TNPU e3高精度薄膜片式電阻—兼具可靠性和高等級的精度，容差低至±0.05%，TCR低至±5 ppm/K，可用於放大器、精密電壓分壓器，以及工業、汽車、航空、醫療和電信設備中的控制單元。

 

SiP12107/8可擴展降壓穩壓器—高頻電流模式恒定導通時間(CM-COT)同步降壓穩壓器帶有集成的高邊和低邊功率MOSFET。穩壓器的功率級可以以4MHz開關頻率輸出3A或5A的連續電流，用於計算、消費電子、電信和工業應用。

 

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極體、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、 計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay成為了全球業界領先者。